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À partir d’avant-hierFlux principal

SK Hynix poursuite sa quête de l’empilement des couches, la barre des 321 atteinte

Nous sommes le jeudi 21 novembre ; en première instance, Pierre Palmade a été condamné à cinq ans de prison, dont deux ferme, tandis que le plan neige-verglas de niveau 2 a été activé en Ile-de-France. SK Hynix se propose de nous sortir de cette atmosphère poudreuse pour nous plonger dans les couches de sa NAND 4D ; la firme sud-coréenne se targue d’avoir amorcé la production de masse de la « première flash NAND 4D 321-high au monde à triple niveau de cellule, d'une capacité de 1 Tb »... [Tout lire]

Intel célèbre l’avènement de la DDR5 MRDIMM

Pour décupler les performances de ses processeurs Xeon 6 lancés en juin dernier, Intel vient refaire la promotion de la mémoire MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) ; et puisque nous n’en avons jamais parlé jusqu’à présent, c’est l’occasion de nous rattraper avec une brève présentation. Comme l'appellation l'explicite, ce sont des RDIMM affublés d’un système de multiplexage (deux rangs de mémoire DDR en mode multiplexé) dans le but d'améliorer les performances... [Tout lire]

SK hynix dévoile déjà de la HBM3E 16-Hi

Lors du SK AI Summit 2024, Kwak Noh-Jung, PDG de SK Hynix, a fait plusieurs annonces, dont certaines relatives à la mémoire HBM3E. Un peu plus d’un mois après avoir amorcé la production de masse de mémoire HBM3e à 12 couches (annoncée via un communiqué daté du 26 septembre 2024), la société a présenté de la mémoire 16-High, soit 16 couches, de 48 Go... [Tout lire]

Samsung dégaine des modules GDDR7 de 24 Gb, de quoi augmenter la VRAM des GPU

Samsung vient d’officialiser des puces mémoire DRAM GDDR7 de 24 Gb (3 Go). Une capacité inhabituelle jusqu’ici — la GDDR6 / GDDR6X se décline dans des capacités de 8 Gb (1 Go) et de 16 Gb (2 Go), — qui ouvre donc la voie à des configurations VRAM inhabituelles pour les prochaines cartes graphiques... [Tout lire]
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