Samsung préparerait actuellement un nouveau SSD NVMe PCI Express 4.0 destiné à l'entrée de gamme. La particularité de ce futur modèle serait de faire l'impasse sur la mémoire DRAM embarquée afin de réduire les coûts de production. À la place, le constructeur miserait sur la technologie Host Memory Buffer (HMB), qui exploite une petite partie de la mémoire vive du PC pour gérer les tables d'adressage du SSD. Le produit a brièvement fait son apparition sur le site officiel de Samsung avant d'être retiré, dévoilant au passage une bonne partie de ses caractéristiques techniques. Un SSD PCIe 4.0 rapide malgré l'absence de DRAM D'après les informations publiées, ce SSD au format M.2 NVMe serait proposé dans un premier temps avec une capacité de 1 To. Il annoncerait des débits séquentiels pouvant atteindre 7150 Mo/s en lecture et 6450 Mo/s en écriture, des performances très proches de nombreux modèles PCIe 4.0 de milieu de gamme pourtant équipés d'une mémoire DRAM dédiée. En revanche, un détail attire immédiatement l'attention : son endurance est donnée pour seulement 400 To écrits (TBW) sur la version 1 To. Une valeur relativement faible qui laisse penser que Samsung pourrait avoir recours à de la mémoire QLC (Quad-Level Cell). Cette technologie permet de réduire les coûts et d'augmenter la densité de stockage, mais elle offre généralement une endurance plus faible et des performances en écriture soutenue inférieures à celles de la mémoire TLC. […]

À l'occasion du symposium IEEE/JSAP VLSI 2026, Samsung a dévoilé une feuille de route particulièrement ambitieuse pour sa mémoire NAND Flash. L'objectif est clair : continuer à faire grimper la densité de stockage alors que les besoins explosent dans les domaines de l'intelligence artificielle, du cloud computing et des centres de données. Selon les informations présentées par la marque, les futures générations de NAND devraient atteindre environ 420 couches d'ici 2029, avant de dépasser les 560 couches à l'horizon 2030. Une évolution logique pour une industrie qui mise désormais presque exclusivement sur l'empilement vertical des cellules mémoire afin d'augmenter les capacités de stockage. Vers une NAND équivalente à 1000 couches Mais Samsung regarde déjà bien plus loin. Après 2030, le constructeur envisage des solutions affichant une densité équivalente à 900 voire 1000 couches. Toutefois, il ne s'agira probablement pas d'un unique empilement géant. Pour contourner les difficultés de fabrication, la société compte s'appuyer sur une technologie baptisée Cell Multi-Bonding (CMB). […]

Alors que les SSD modernes affichent des capacités toujours plus importantes et misent de plus en plus sur de la mémoire TLC ou QLC, une vieille référence de chez SanDisk vient rappeler à quel point certaines technologies d'antan pouvaient être endurantes. Ainsi un vieux SSD SanDisk P4 de 64 Go, lancé il y a plus de seize ans, serait toujours pleinement fonctionnel après avoir encaissé environ 1 Po (1 PB) d'écritures... 1 Po d'écritures pour seulement 40 To annoncés La performance est d'autant plus remarquable que le constructeur annonçait à l'époque une endurance de seulement 40 To écrits (TBW). En théorie, le SSD a donc encaissé environ vingt-cinq fois plus de données que sa spécification officielle. Malgré plus de 60 000 heures de fonctionnement et plus de 1 100 démarrages, aucun défaut majeur n'aurait été signalé et le SSD continuerait de fonctionner normalement. […]

Décidément, aujourd'hui, ,nous sommes sur une journée avec des tarifs qui piquent sévèrement. Apres la RTX 5090 à 5300 dollars et le ASUS ROG Edition 20 à 17 000 dollars, nous avons un SSD à 2950 dollars avec le SanDisk Optimus GX PRO 850P, un modèle PCI Express Gen4 NVMe spécialement conçu et certifié pour les PlayStation 5 et PlayStation 5 Pro. Jusqu'à 8 To pour votre PS5 Le principal argument de ce nouveau SSD est simple : proposer jusqu'à 8 To de stockage afin d'accueillir une bibliothèque de jeux toujours plus imposante. Il faut dire qu'entre les Call of Duty, les GTA, les jeux en 4K avec textures HD et les mises à jour à répétition, les 825 Go ou 1 To d'origine des consoles Sony peuvent rapidement devenir insuffisants. Avec 8 To disponibles, plus besoin de supprimer un jeu pour en installer un autre. Du moins en théorie... Des caractéristiques encore mystérieuses SanDisk reste pour le moment très discret sur les caractéristiques techniques du modèle. La marque évoque des optimisations spécifiques pour les consoles Sony, notamment au niveau de la gestion thermique, un point important dans le châssis relativement compact des PS5 et PS5 Pro. Nous ne savons pas encore si ce modèle reprend exactement les composants du GX PRO 850X destiné aux PC. Ce dernier exploite un contrôleur propriétaire Western Digital Black G2 associé à de la mémoire NAND TLC 3D à 112 couches de KIOXIA ainsi qu'un cache DRAM dédié. […]

Depuis de nombreux mois, nous constatons, entre autre, une forte hausse des prix des SSD et de la mémoire NAND. Une situation qui s'explique en grande partie par l'explosion des investissements dans l'intelligence artificielle et les infrastructures de datacenters. Lors du Computex 2026, Nelson Duann, vice-président de Silicon Motion, a même dressé un constat particulièrement alarmant concernant le marché grand public : selon lui, le marché des SSD vendus au détail est quasiment en train de disparaître. Les fabricants privilégient les datacenters et l'IA D'après Nelson Duann, les fabricants de mémoire NAND orientent désormais une part toujours plus importante de leur production vers les solutions destinées aux serveurs, aux infrastructures IA et au stockage d'entreprise. Ces segments offrent des marges bien plus élevées que les produits destinés aux particuliers, ce qui pousse naturellement les producteurs à leur donner la priorité. Conséquence directe, les volumes de NAND disponibles pour les SSD destinés aux consommateurs sont en forte baisse. Cette situation impacte même les grands constructeurs de PC comme Acer, ASUS, Dell ou HP, qui peinent désormais à s'approvisionner directement auprès des fabricants de mémoire. […]

KIOXIA enrichit aujourd'hui sa gamme de SSD PCI Express 5.0 avec l'arrivée d'une nouvelle capacité en 4 To pour son modèle EXCERIA G3. Lancée en décembre dernier avec des versions de 1 To et 2 To, cette série vise le segment milieu de gamme tout en proposant des débits déjà très élevés grâce à l'interface PCIe 5.0. Jusqu'à 4 To de stockage en PCIe 5.0 Pour cette nouvelle déclinaison, KIOXIA conserve la même recette technique que sur les modèles déjà commercialisés. Nous retrouvons ainsi un contrôleur Phison E31T dépourvu de mémoire DRAM associé à de la mémoire NAND Flash 3D BiCS8 à 218 couches produite par la marque japonaise. Cette nouvelle version de 4 To offre des performances très proches du modèle 2 To avec des vitesses séquentielles pouvant atteindre 10 Go/sec en lecture et 9.6 Go/sec en écriture. Les performances aléatoires sont également au rendez-vous avec jusqu'à 1.45 million d'IOPS en lecture et en écriture 4K. […]

Chez Samsung, on continue de repousser les limites de la mémoire NAND. Après avoir déjà dépassé les 400 couches avec ses dernières générations de V-NAND, le constructeur travaillerait désormais sur une solution V-NAND en 900 couches... Et forcément, empiler autant de couches sur une seule tranche de silicium commence à devenir un véritable cauchemar technique. Du coup, Samsung change progressivement d'approche et mise maintenant sur une technologie de Hybrid Bonding, ou liaison hybride entre plusieurs wafers. Deux piles de 450 couches fusionnées ensemble Selon les informations relayées par ET News, Samsung utiliserait une technologie propriétaire baptisée Cell Multi-Bonding (CMB). Ainsi, au lieu de fabriquer une seule structure géante de 900 couches, la marque produit deux blocs indépendants de 450 couches, puis les fusionne ensemble pour créer une seule mémoire NAND unifiée. Cette technique permet d'éviter certains problèmes énormes liés aux structures ultra épaisses. Car plus on ajoute de couches, plus les difficultés explosent : gestion thermique, consommation, alignement microscopique, rendement de production ou encore déformation physique des wafers. […]