À l'occasion du symposium IEEE/JSAP VLSI 2026, Samsung a dévoilé une feuille de route particulièrement ambitieuse pour sa mémoire NAND Flash. L'objectif est clair : continuer à faire grimper la densité de stockage alors que les besoins explosent dans les domaines de l'intelligence artificielle, du cloud computing et des centres de données. Selon les informations présentées par la marque, les futures générations de NAND devraient atteindre environ 420 couches d'ici 2029, avant de dépasser les 560 couches à l'horizon 2030. Une évolution logique pour une industrie qui mise désormais presque exclusivement sur l'empilement vertical des cellules mémoire afin d'augmenter les capacités de stockage. Vers une NAND équivalente à 1000 couches Mais Samsung regarde déjà bien plus loin. Après 2030, le constructeur envisage des solutions affichant une densité équivalente à 900 voire 1000 couches. Toutefois, il ne s'agira probablement pas d'un unique empilement géant. Pour contourner les difficultés de fabrication, la société compte s'appuyer sur une technologie baptisée Cell Multi-Bonding (CMB). […]