SK hynix a annoncé avoir terminé le développement de sa mémoire HBM4 et mettre en place la production de masse. L’entreprise rappelle que cette nouvelle génération double la bande passante par rapport à la HBM3 grâce à une interface 2 048 I/O... [Tout lire]

Le Commercial Times nous apprend que l'industrie des semi-conducteurs se prépare à franchir un nouveau palier avec le déploiement de la DDR6. Bien qu’elle n’arrivera pas dans les machines grand public avant 2027 au plus tôt, cette génération de mémoire vit déjà ses premières étapes concrètes : Samsung, Micron et SK Hynix ont dépassé le stade du prototype et entamé les phases de validation en collaboration étroite avec Intel, AMD et NVIDIA, d'après la source... [Tout lire]

Le JEDEC vient de publier les spécifications officielles de la LPDDR6, prochaine étape après la LPDDR5 et la LPDDR5X. Cette nouvelle génération de mémoire à basse consommation est conçue pour répondre aux besoins d’un large éventail d’appareils d'après l'organisme : ordinateurs mobiles et smartphones bien sûr, mais aussi véhicules et informatique IA en périphérie... [Tout lire]

Nous n’avions plus reparlé des modules CAMM (Compression Attached Memory Module) depuis le Computex 2024, mais rassurez-vous, le format est loin d’avoir été abandonné. G... [Tout lire]