Pour les prix des CPU cette semaine, on commence chez les bleus, avec d'abord une belle baisse sur le 13700K qui passe de 426 à 408 euros, il fait donc 18 euros. Ensuite, nous avons le 14700K qui augmente, de son côté, de 6 petits euros. On peut donc passer chez les rouges, c'est rapide... […]
Lire la suiteSemaine chargée une nouvelle fois avec des tests assez variés, même si la mémoire et les alimentation sont en double bonus, plus un retour sur notre visite des bureaux MSI à Taiwan. On se pose, et on fait le point ! […]
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Although TSMC can't claim to be the first fab to use extreme UV (EUV) lithography – that title goes to Samsung – they do get to claim to be the largest. As a result, the company has developed significant experience with EUV over the years, allowing TSMC to refine how they use EUV tooling to both improve productivity/uptime, and to cut down on the costs of using the ultra-fine tools. As part of the company's European Technology Symposium this week, they went into a bit more detail on their EUV usage history, and their progress on further integrating EUV into future process nodes.
When TSMC started making chips using EUV lithography in 2019 on its N7+ process (for Huawei's HiSilicon), it held 42% of the world's installed base of EUV tools, and even as ASML ramped up shipments of EUV scanners in 2020, TSMC's share of EUV installations actually increased to 50%. And jumping ahead to 2024, where the number of EUV litho systems at TSMC has increased by 10-fold from 2019, TSMC is now 56% of the global EUV installed base, despite Samsung and Intel ramping up their own EUV production. Suffice it to say, TSMC made a decision to go in hard on EUV early on, and as a result they still have the lion's share of EUV scanners today.
Notably, TSMC's EUV wafer production has increased by an even larger factor; TSMC now pumps out 30 times as many EUV wafers as they did in 2019. Compared to the mere 10x increase in tools, TSMC's 30x jump in production underscores how TSMC has been able to increase their EUV productivity, reduce service times, and fewer tool downtimes overall. Apparently, this has all been accomplished using the company's in-house developed innovations.
| TSMC's Leadership in EUV High Volume Manufacturing Data by TSMC (Compiled by AnandTech) |
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| 2019 | 2023 | |||
| Cumulative Tools | 1X | 10X | ||
| Share of Global EUV Installed Base | 42% | 56% | ||
| EUV Wafer Output | 1X | 30X | ||
| Wafer per Day per EUV Tool | 1X | 2X | ||
| Reticle Particle Contamination | 1X | 0.1X | ||
TSMC says that it has managed to increase wafer-per-day-per-tool productivity of its EUV systems by two times since 2019. To do so, the company optimized the EUV exposure dose and the photoresist it uses. In addition, TSMC greatly refined its pellicles for EUV reticles, which increased their lifespan by four times (i.e., increases uptime), increased output per pellicle by 4.5 times, and lowered defectivity by massive 80 times (i.e., improves productivity and increases uptime). For obvious reasons, TSMC does not disclose how it managed to improve its pellicle technology so significantly, but perhaps over time the company's engineers are going to share this with academia.
| TSMC's EUV Pellicle Technology vs. Commercial Data by TSMC (Compiled by AnandTech) |
||||
| Commercial | TSMC (Claimed) | |||
| Output | 1X | 4.5X | ||
| Defectivity | 1X | 0.0125X | ||
| Lifespan | 1X | 4X | ||
EUV lithography systems are also notorious for their power consumption. So, in addition to improving productivity of EUV tools, the company also managed to reduce the power consumption of its EUV scanners by 24% through undisclosed 'innovative energy saving techniques.' And the company isn't done there: they are planning to improve energy efficiency per wafer per EUV tool by 1.5 times by 2030.
Considering all the refinements that TSMC has managed to achieve with Low-NA EUV lithography by now, it is not terribly surprising that the company is quite confident that it can continue to produce cutting-edge chips in the future. Whereas rival Intel has gone all-in on High-NA EUV for their future, sub-18A nodes, TSMC is looking to leverage their highly-optimized and time-tested Low-NA EUV tooling instead, avoiding the potential pitfalls of a major technology transition so soon while also reaping the cost benefits of using the well-established tooling.
Minimachines.net en partenariat avec TopAchat.com
Avec les puces Lunar Lake, Intel va intégrer la mémoire vive directement sur ses processeurs. Un changement technologique important qui rejoint la stratégie d’Apple et de ses puces M.
L’objectif d’Intel est assez simple, en ajoutant directement la mémoire vive à ses processeurs Lunar Lake, les performances de bande passante seront simplement décuplées avec la mémoire vive. Ce qui permet d’augmenter la vitesse de traitement des données. Un choix qui a particulièrement bien réussi à Apple et on peut imaginer que l’impact sera également très positif pour les performances des puces Intel.
Un SoC Apple M2 Max avec sa mémoire intégrée
Le problème est que cette stratégie heurte le monde PC. Elle enlève en effet une possibilité rassurante pour l’utilisateur, celle de pouvoir ajouter lui même de la mémoire vive à sa machine. C’est un des éléments majeurs de la philosophie des ordinateurs « compatibles » que de pouvoir garder la main sur certains composants afin de les faire évoluer. Même si c’est de moins en moins vrai sur les portables et en particulier ceux visés par la gamme Lunar Lake qui sont les plus fins et légers du marché. Cette possibilité reste ancrée chez beaucoup d’utilisateurs comme une condition indispensable à tout investissement. Pourvoir changer la mémoire vive, pouvoir faire évoluer son stockage et éventuellement un autre périphérique comme une carte réseau sur un port amovible, sont des gages de pérennité.
2 slots de DDR5 sur un portable
Cette manière de penser est parfaitement logique, elle tient au fait que les constructeurs de portables ont toujours eu tendance à survendre la mémoire vive et le stockage par rapport au prix du marché. On trouve encore beaucoup de machines livrées avec 8 Go de mémoire vive aujourd’hui et un prix pour passer à 16 Go en usine qui correspond à 150% du prix du composant en boutique. Certains constructeurs ayant une passion pour la micro visserie, ce passage à la caisse pour avoir la quantité de mémoire dont on a besoin est même devenu quasi indispensable. A moins de se faire peur au dessus d’un portable neuf pour accéder à ses entrailles et changer soit même la mémoire, on préfère passer à la caisse.
Un portable Lenovo avec de la mémoire vive LPDDR5 soudée.
Lunar Lake ne sera pas intégré dans les PC de bureaux ou les station de travail mobiles, pas plus que dans les portables à destination des joueurs. Cela restera une puce destinée aux machines les plus compactes et légères du marché. Une cible qui, si on analyse les sorties de ces dernières années, fait la part de plus en plus belle aux composants soudés et inaccessibles.
De la mémoire LPDDR5 soudée sur une carte mère
Les ultraportables ressemblent de plus en plus à des coffres forts, les constructeurs ont tendance à utiliser de plus en plus de la LPDDR implantée directement sur les cartes mères. Et les grandes marques vont souvent faire sauter leurs garanties si vous tentez d’accéder aux composants. Si cela reste évidemment un plus de pouvoir mettre à jour son PC, c’est devenu un luxe de plus en plus rare sur les solutions ultramobiles. Certains tentent l’aventure de mettre à jour leurs puces en les dessoudant pour en ressouder d’autres, mais c’est évidemment une pratique qui ne correspondra pas aux possibilités de monsieur tout le monde.
Quand Intel annonce que Lunar Lake sera pourvu de sa propre mémoire vive, le premier reflexe reste donc logiquement de voir le verre à moitié vide. Se dire qu’on va perdre la possibilité de monter la mémoire que l’on veut sur son ultraportable. En pratique, cela change surtout l’endroit où est soudée la mémoire dans la machine. Savoir qu’elle passe d’une implantation directe sur la carte mère à une implantation directe sur le processeur n’est pas une nouvelle ébouriffante pour l’utilisateur final.
16Go de mémoire pour le Core Ultra 5 234V
32Go de mémoire pour le Core Ultra 5 238V
Le verre à moitié plein c’est de se dire que si Intel intègre 16 Go au minimum et jusqu’à 32 Go de cette mémoire ultra rapide, cela veut dire qu’il ne sera plus possible d’avoir un modèle en 8 Go comme aujourd’hui. Les constructeurs ne pourront plus proposer 8 Go par défaut et facturer 150% du prix d’un passage à 16 Go. Ces 16 Go seront le strict minimum et cela correspondra bien aux besoins du public que les propositions d’aujourd’hui. Surtout avec un Windows 11 livré par défaut.
Le prix des composants mémoire varie en temps réel sur DRAMeXchange
Je vois deux vraies questions à se poser autour de ce changement. La première et la plus évidente sera surtout de savoir à quel tarif sera implanté cette mémoire vive chez Intel. Sur la facture finale, on ne verra pas grande différence. La fabricant ne détaille pas le prix des composants quand il vous vend un ultraportable et vous aurez donc un prix englobant l’ensemble. Difficile de savoir donc si ces 16 à 32 Go de mémoire intégrés seront vendus plus ou moins cher que lorsqu’ils sont soudés à la carte mère. Le fait que le constructeur n’ait plus le choix entre diverses marques de mémoire aura sans doute un impact en terme de prix. Détail qui sera dur à mesurer mais qu’il faudra relativiser par rapport aux gains de vitesse obtenus. Une chose est sûre, avec Lunar Lake, Intel sortira la mémoire vive du marché de la mémoire classique. Quand un constructeur peut faire jouer la concurrence pour obtenir des composants moins chers en choisissant une marque plutôt qu’une autre. Il ne sera plus possible de le faire avec ce type de puces.
La seconde question est concurrentielle. Quand l’info d’une mémoire soudée au processeur est apparue sur Lunar Lake, la levée de boucliers a été immédiate. Beaucoup d’utilisateurs ont commencé par dire qu’ils n’achèteraient jamais de machine ainsi équipée. Préférant garder cette possibilité de passer eux-mêmes à 16 ou 32 Go de mémoire vive. Les ultraportables proposant rarement la possibilité d’aller plus haut en capacité.
Mais si les performances de Lunar Lake liées à cet échange de mémoire ultra rapide se soldent par une évolution très importante des performances obtenues, la réflexion autour de cette vraie-fausse possibilité d’évolution sur un marché désormais dominé par de la LPDDR5 soudée à la carte mère tiendra t-elle encore la route ?
Si Lunar Lake passe largement devant l’offre d’AMD sur ce segment, on peut se douter d’un mouvement similaire chez le concurrent historique d’Intel. L’apparition d’un Ryzen avec de la mémoire intégrée sur son SoC à destination des ultraportables serait alors possible, voire très probable, pour ne pas perdre ce marché.
Entre 16 et 32 Go de mémoire à bord des Intel Lunar Lake © MiniMachines.net. 2024.
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With all the new fabs being built in Germany and Japan, as well as the expansion of production capacity in China, TSMC is planning to extend its production capacity for specialty technologies by 50% by 2027. As disclosed by the company during its European Technology Symposium this week, TSMC expects to need to not only convert existing capacity to meet demands for specialty processes, but even build new (greenfield) fab space just for this purpose. One of the big drivers for this demand, in turn, will be TSMC's next specialty node: N4e, a 4nm-class ultra-low-power production node.
"In the past, we always did the review phase [for upcoming fabs], but for the first time in a long time at TSMC, we started building greenfield fab that will address the future specialty technology requirements," said Dr. Kevin Zhang, Senior Vice President, Business Development and Overseas Operations Office, at the event. "In the next four to five years, we actually going to grow our specialty capacity by up to 1.5x. In doing so we actually expanding the footprint of our manufacturing network to improve the resiliency of the overall fab supply chain."
On top of its well-known major logic nodes like N5 and N3E, TSMC also offers a suite of specialty nodes for applications such as power semiconductors, mixed analog I/O, and ultra-low-power applications (e.g. IoT). These are typically based on the company's trailing manufacturing processes, but regardless of the underlying technology, the capacity demand for these nodes is growing right alongside the demand for TSMC's major logic nodes. All of which has required TSMC to reevaluate how they go about planning for capacity on their specialty nodes.
TSMC's expansion strategy in the recent years has pursued several goals. One of them has been to build new fabs outside of Taiwan; another has been to generally expand production capacity to meet future demand for all types of process technologies – which is why the company is building up capacity for specialty nodes.
At present, TSMC's most advanced specialty node is N6e, an N7/N6 variant that supports operating voltages between 0.4V and 0.9V. With N4e, TSMC is looking at voltages below 0.4V. Though for now, TSMC is not disclosing much in the way of technical details for the planned node; given the company's history here, we expect they'll have more to talk about next year once the new process is ready.
Avec l'explosion du contenu numérique, les utilisateurs ont besoin de solutions de plus grande capacité et plus robustes Western Digital présente aujourd'hui une expansion de sa gamme de disques durs portables de marque WD®, WD_BLACK et SanDisk® Professional, affichant la capacité de stockage la plus élevée au monde dans un disque dur portable de 2,5 pouces. Les disques durs portables WD My Passport, WD_BLACK P10 Game Drive et le SanDisk Professional G-DRIVE ArmorATD sont désormais tous disponibles dans des capacités de 6 To. « L'élargissement de notre gamme avec le premier disque dur portable 2,5" de 6 To au monde est une incroyable réussite technologique qui nous permet de continuer à repousser les limites du possible », déclare Nitin Kachhwaha, Director Product Management chez Western Digital. « Proposer jusqu'à 6 To dans un format aussi compact et à un prix aussi accessible offre à tous - étudiants, joueurs, vidéastes professionnels, etc. - une plus grande flexibilité pour créer et conserver encore plus de contenu essentiel sur un seul disque portable. » La nouvelle capacité record de 6 To est désormais disponible dans les principales marques de Western Digital, offrant une solution plus adaptée aux consommateurs, aux joueurs et aux professionnels : […]
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Of the several major changes coming with HBM4 memory, one of the most immediate is the sheer width of the memory interface. With the fourth-generation memory standard moving from an already wide 1024-bit interface to a ultra-wide 2048-bit interface, HBM4 memory stacks won't be business as usual; chip manufacturers are going to need to adopt more advanced packaging methods than are used today to accommodate the wider memory.
As part of its European Technology Symposium 2024 presentation, TSMC offered some fresh details into the base dies it will be manufacturing for HBM4, which will be built using logic processes. With TSMC planning to employ variations of their N12 and N5 processes for this task, the company is expecting to occupy a favorable place in the HBM4 manufacturing process, as memory fabs are not currently equipped to economically produce such advanced logic dies – if they can produce them at all.
For the first wave of HBM4, TSMC is preparing to use two fabrication processes: N12FFC+ and N5. While they serve the same purpose — integrating HBM4E memory with next-generation AI and HPC processors — they are going to be used in two different ways to connect memory for high-performance processors for AI and HPC applications.
"We are working with key HBM memory partners (Micron, Samsung, SK Hynix) over advanced nodes for HBM4 full stack integration," said Senior Director of Design and Technology Platform at TSMC. "N12FFC+ cost effective base die can reach HBM for performance and N5 base die can provide even more logic with much lower power at HBM4 speeds."
| TSMC Logic for HBM4 Base Die | ||||
| N12FFC+ | N5 | |||
| Area | 1X | 0.39X | ||
| Logic GHz @ power | 1X | 1.55X | ||
| Power @ GHz | 1X | 0.35X | ||
TSMC's base die made on N12FFC+ fabrication process (12nm FinFet Compact Plus, which formally belongs to a 12nm-class technology, but it lays its roots from TSMC's well-proven 16nm FinFET production node) will be used to install HBM4 memory stacks on a silicon interposer next to system-on-chips (SoCs). TSMC believes that their 12FFC+ process is well-suited to achieve HBM4 performance, enabling memory vendors to build 12-Hi(48 GB) and 16-Hi stacks (64 GB), with per-stack bandwidth well as over 2 TB/second.
"We are also optimizing CoWoS-L and CoWoS-R for HBM4," the Senior Director said. "Both CoWoS-L and CoWoS-R [use] over eight layers to enable HBM4's routing of over 2,000 interconnects with [proper] signal integrity."
HBM4 base dies on N12FFC+ will be instrumental in building system-in-packages (SiPs) using TSMC's CoWoS-L or CoWoS-R advanced packaging technology, which offer interposers up to 8x reticle size – enough space for up to 12 HBM4 memory stacks. At present, HBM4 can achieve data transfer rates of 6 GT/s at currents of 14mA, according to TSMC figures.
"We collaborate with EDA partners like Cadence, Synopsys, and Ansys to certify HBM4 channel signal integrity, IR/EM, and thermal accuracy," the TSMC representative explained.
Meanwhile, as an even more advanced alternative, memory manufacturers will also have the option of tapping TSMC's N5 process for their HBM4 base dies. N5-built base dies will pack even more logic, consume less power, and will offer even higher performance. But arguably the most important benefit is that such an advanced process technology will enable are very small interconnect pitches, on the order of 6 to 9 microns. This will allow N5 base dies to be used in conjunction with direct bonding, enabling HBM4 to be 3D stacked right on top of logic chips. Direct bonding stands to allow for even greater memory performance, which is expected to be a big boost for AI and HPC chips that are always scrounging for more memory bandwidth.
We already know that TSMC and SK Hynix collaborate on HBM4 base dies. It is likely that TSMC will also produce HBM4 base dies for Micron. Otherwise, we'd be more surprised to see TSMC working with Samsung, as that conglomerate already has its own advanced logic fabs via its Samsung Foundry unit.
L'annonce est plus que surprenante, d'une part car Microsoft poursuit le soutien de son système d'exploitation, la fin des mises à jour régulières est officiellement planifiée le 14 octobre 2025 et d'autre part l'OS Windows 10 est loin d'être en désamour auprès des utilisateurs, en atteste les progressions récemment constatées... […]
Lire la suiteIntel a publié 41 avis de sécurité couvrant plus de 90 vulnérabilités dans le cadre de sa dernière mise à jour Patch Tuesday. Ce cycle de mise à jour de routine aborde de nombreux problèmes dans la gamme de produits Intel, principalement du côté logiciel. Le point culminant de cette version est une vulnérabilité dans l'Intel Neural Compressor, qui a reçu la note de gravité la plus élevée de 10,0 sur le Common Vulnerability Scoring System (CVSS). Cette faille critique pourrait permettre une attaque d'élévation de privilèges via un accès à distance sur les versions antérieures à la dernière mise à jour. Le Neural Compressor, un outil rarement trouvé sur la plupart des ordinateurs, mais utilisé dans les flux de travail d'ingénierie de l'IA, est conçu pour optimiser les modèles de langage IA en réduisant leur taille et en améliorant leurs performances. Étant donné son application spécifique, seul un groupe d'utilisateurs ciblés utilise généralement cet outil, bien qu'il soit essentiel pour ces utilisateurs de s'assurer qu'ils ont mis à jour la dernière version du logiciel pour éviter les risques potentiels de sécurité. […]
Lire la suiteAMD dévoile de nouveaux drivers, les Adrenalin Edition 24.5.1 WHQL, on remarque immédiatement la signature numérique. AMD nous promet des optimisations pour les jeux suivants : - Ghost of Tsushima DIRECTOR'S CUT - Senua's Saga: Hellblade II - F1® 24 AMD a également ajouté le support de l'HYPR-Tune pour les jeux Ghost of Tsushima DIRECTOR'S CUT, Horizon Forbidden West, Complete Edition, Starfield et The Last of Us Part I. Le téléchargement est possible ici. […]
Lire la suiteLa gamme TUF Gaming s'enrichit de nouveaux ventilateurs avec l'annonce des TR120, des modèles qui permettent à ASUS de s'attaquer à un marché désormais très prisé : celui des ventilateurs avec une conception reverse, soit avec des pales inversées pour que le stator soit caché selon le sens de l'installation. Mais ce n'est pas tout et ASUS entend également jouer la carte de la performance grâce à un cadre qui passe de 25 mm à 28 mm, ce qui permet d'avoir des pales avec une plus grande surface. Bien entendu, l'éclairage RGB est également important avec des diodes au niveau du moteur, plus un éclairage qui vient se répéter sur le côté. Pour le reste, ASUS se veut classique et ne propose pas de système spécifique pour le chaînage, tandis que le roulement est de type hydrodynamique. […]
Lire la suiteASUS ne délaisse pas non plus les besoins des baroudeurs en nous proposant le MQ16AHE, un écran transportable de type OLED. Il propose une définition FHD (1920 x 1080) et affiche 1,07 milliards de couleurs avec un taux de contraste de 1 000 000:1 et un taux de rafraîchissement de 60 Hz. Il propose aussi un temps de réponse de 1 ms (étrange pour de l'OLED, à prendre avec des pincettes ) et une luminance de 400 cd/m². Il est capable de couvrir 100 % de l'espace colorimétrique DCI-P3. […]
Lire la suiteASUS lance un nouvel écran de la série ROG, mais avec un socle au look distinctif qui dévie de l'esthétique habituelle, mais qui permet maintenir son smartphone. Malgré ce changement esthétique, la dalle reste inchangée. Sur le XG27ACG, dont le support ressemble davantage à celui des TUF, nous trouvons une dalle de 27 pouces capable d'atteindre jusqu'à 180 Hz avec une résolution QHD (2560 x 1440). Il prend bien entendu en charge le G-Sync Compatible de NVIDIA et le FreeSync d'AMD, avec un temps de réponse de 1 ms. L'écran affiche 1,07 milliard de couleurs, couvrant 125 % de l'espace colorimétrique et 95 % du DCI-P3, le tout avec une luminance maximale de 400 cd/m² et un taux de contraste de 1000:1. Comme on peut s'y attendre, avec ces caractéristiques techniques, il s'agit bien d'une dalle de type IPS. […]
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